Pemanasan dengan Radiasi Inframerah vs. Pemanasan dengan Udara Bertekanan: Mana yang Lebih Baik untuk Memanaskan Wafer?
Beralih dari metode pemanasan menggunakan udara bertekanan ke metode pemanasan menggunakan radiasi inframerah bukan sekadar penggantian komponen saja. Ini merupakan perubahan total dalam cara kita memberikan energi kepada permukaan wafer tersebut.
Coba pikirkan tentang metode pemanasan menggunakan udara bertekanan. Metode ini mengandalkan proses konveksi, di mana udara yang bergeraklah yang bertugas memanaskan permukaan wafer. Metode ini memang efektif, tetapi lambat. Berbeda dengan metode pemanasan menggunakan radiasi inframerah. Metode ini menggunakan energi radiasi untuk memanaskan permukaan wafer secara langsung.
Waktu sangat penting dalam proses pemanasan. Udara merupakan konduktor panas yang buruk. Ketika menggunakan oven konveksi, kita harus menunggu hingga suhu ruangan mencapai tingkat yang diinginkan. Proses ini mirip dengan menunggu air dalam panci mendidih. Sedangkan dengan metode pemanasan menggunakan radiasi inframerah, energi dapat sampai ke permukaan wafer dalam waktu singkat. Dalam dunia semikonduktor, hal ini membuat proses pemanasan yang sebelumnya membutuhkan beberapa menit kini hanya membutuhkan beberapa detik saja.
Ini sangat cepat. Sangat luar biasa cepatnya. Hal ini sangat penting, karena dengan demikian wafer tidak akan berada dalam “zona berbahaya” – yaitu kondisi di mana terjadi reaksi kimia atau oksidasi pada permukaan wafer.
Mencapai suhu yang tepat
Kami menggunakan sensor inframerah yang presisi untuk memastikan suhu wafer tetap stabil. Sirkulasi udara bisa tidak konsisten; mungkin ada bagian-bagian tertentu pada wafer yang kurang dipanaskan. Dengan menggunakan array inframerah, kita dapat mengontrol penyebaran panas secara lebih baik. Jika bagian tepi wafer kehilangan panas terlalu cepat, kita dapat menambah daya pada bagian tersebut agar suhunya tetap stabil. Dengan demikian, wafer tidak akan bengkok. Jika kontrol suhu dilakukan dengan baik, kita dapat mempertahankan toleransi suhu sebesar ±1°C di seluruh permukaan wafer. Ini merupakan tingkat kontrol yang sangat akurat.
Namun, ada kelemahan juga. Metode pemanasan menggunakan radiasi inframerah memberikan beban yang besar pada sistem pendingin. Lampu-lampu berkepadatan tinggi ini menghasilkan banyak sekali panas. Jika chasis perangkat tersebut tidak dirancang untuk menangani beban panas tersebut, maka akan terjadi masalah seperti sensor yang rusak atau bantalan k mounting yang bengkok. Anda membutuhkan sistem pendingin yang efektif untuk melindungi komponen-komponen yang tidak ingin dipanaskan.
Pada dasarnya, kita harus mengorbankan kapasitas sirkulasi udara demi kontrol listrik yang lebih baik dan proses pemanasan yang lebih cepat. Bagi kebanyakan orang, ini merupakan pengorbanan yang layak dilakukan.