<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Uit on Gentle Home Infrared Warmth</title>
		<link>http://home-ir-warmth.com/nl/tags/uit/</link>
		<description>Recent content in Uit on Gentle Home Infrared Warmth</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>nl</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Sat, 20 Jun 2026 02:39:49 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://home-ir-warmth.com/nl/tags/uit/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Verspreide waferniveau verpakkingsoververhitter</title>
				<link>http://home-ir-warmth.com/nl/posts/fan-out-wafer-level-packaging-heater/</link>
				<pubDate>Sat, 20 Jun 2026 02:39:49 +0800</pubDate>
				<guid>http://home-ir-warmth.com/nl/posts/fan-out-wafer-level-packaging-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://home-ir-warmth.com/images/0ea7296bcdd661f341d1983d454c4037.png&#34; alt=&#34;Verspreide waferniveau verpakkingsoververhitter&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Op de FO-WLP-lijn begint de stabiliteit van de RDL al tijdens het bakproces. Een verschil van 1°C tijdens het zacht bakken van de fotoresist of het vervolmaken van het beschermlaagmateriaal kan leiden tot een verandering in de breedte van de lijnen op het wafer. Dit kan ook tot het ontstaan van gaten in het wafer leidden, en tot schade aan de wafer die al door de lithografieprocedure zijn verwerkt. We hebben een heater ontwikkeld die op het niveau van het wafer &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;wordt&lt;/a&gt; geplaatst, zodat de thermische eigenschappen constant blijven, elke keer opnieuw.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
