Extreme UV (EUV) resist verwarmingselementen

Mon, 01 Jun 2026 18:12:39 +0800

Op de lithografievloer drijft EUV-belichting het thermische budget van elke fotoresistlaag tot het uiterste. Een temperatuurschommeling van meer dan ±0,5°C tijdens soft bake of hard bake is voldoende om de kritieke dimensie (CD) doelen te missen, printdefecten te veroorzaken en wafers weg te gooien die al uren aan front-end procesgeschiedenis bevatten. Die heateronderdelen die de bake-stappen voeden zijn geen accessoires. Het zijn procescontrolepunten, puur en simpel.

Wat technisch telt
EUV-resist heaters moeten een thermische uniformiteit op wafer-niveau van ±0,1°C over het resistoppervlak leveren, omdat lijnbreedtecontrole thermisch gekoppeld is aan het bake-profiel. Dit bereiken we door kortgolvige en middengolvinge NIR-elementen te combineren met het absorptiespectrum van de fotoresist, terwijl een kwarts-halogeendesign zorgt voor stabiele, snel reagerende verwarming met lage deeltjesproductie. Het systeem is gebouwd voor cleanroom Klasse 1–100, met nul deeltjesgeneratie bevestigd door in-situ monitoring en een afgesloten hot-zone geometrie die uitgassing tegenhoudt om contaminatie van de wafer te voorkomen. Herhaalbaarheid is ingebakken in de regelkring: de setpointstabiliteit houdt stand bij 24/7 gebruik, waardoor ongeplande stilstand buiten hoogmix lotplanningen blijft.

Extreem on Gentle Home Infrared Warmth

Extreme UV (EUV) resist verwarmingselementen