Pemanas untuk pakej pada tahap wafer

Sat, 20 Jun 2026 02:39:49 +0800

Pada garis pengeluaran FO-WLP, kestabilan RDL bermula semasa proses pembakaran. Perubahan suhu sebanyak 1°C semasa proses pembakaran photoresist atau pengerasan bahan pelindung boleh menyebabkan perubahan lebar garisan, berlakunya rongga, dan merosakkan wafer yang telah diproses melalui proses litografi. Kami mencipta alat pemanas khusus untuk mengekalkan kestabilan suhu pada setiap gelombang pengeluaran.

Inilah inti teknikalnya. Alat ini menggunakan sinar inframerah gelombang pendek, dengan sistem pemancar berbentuk kuarsa-halogen. Ini membolehkan suhu dicapai dengan cepat tanpa melebihi had yang ditetapkan. Pada kawasan seluas 300 mm, ketepatan suhu pada tahap wafer dapat dikekalkan pada tahap ±0.1°C pada suhu pembakaran biasa (90–120°C) dan suhu pembakaran tinggi (100–150°C). Keserasian dengan bilik bersih kelas 1–100 dicapai melalui penggunaan bahan keluli tahan karat jenis 316L, penebat PVDF, serta sistem pemantauan zarah secara masa nyata. Pengawal suhu memastikan suhu tetap stabil dalam jangka masa panjang, dengan variasi suhu antara ±0.2°C antara setiap批次 pengeluaran.

Tingkat on Gentle Home Infrared Warmth

Pemanas untuk pakej pada tahap wafer