
W procesie FO-WLP stabilność RDL zaczyna się już podczas procesu pieczenia. Zmiana temperatury o 1°C podczas delikatnego pieczenia fotorezystu lub utwardzania materiału pokrywającego płytkę może doprowadzić do zmian szerokości linii, powstania pustek oraz uszkodzenia płytek, które już przeszły proces litografii. Stworzyliśmy specjalny grzejnik do pakowania płytek na poziomie pojedynczych elementów, aby zapewnić stałą temperaturę podczas każdej kolejki produkcji.
Oto istota techniczna tego rozwiązania. Urządzenie wykorzystuje krótkofalowe promieniowanie podczerwone, a jego źródła ciepła są zbudowane z kwarcu i halogenu. Dzięki temu urządzenie szybko osiąga wymaganą temperaturę bez przekroczeń granic dostępnych wartości. Na całej powierzchni płytki o wielkości 300 mm zachowywana jest jednorodność temperatury na poziomie ±0,1°C przy typowych temperaturach pieczenia (90–120°C) oraz przy wyższych temperaturach (100–150°C). Kompatybilność z warunkami panującymi w strefach czystych klasy 1–100 zapewnia konstrukcja z materiału nierdzewnego 316L, izolatory z PVDF oraz brak wytwarzanych cząsteczek, co potwierdza monitoring cząsteczek w locie. Sterownik utrzymuje temperaturę w granicach ±0,2°C między poszczególnymi partiami produktów oraz w ciągu dnia.
Proces FO-WLP wymaga ścisłego kontrolowania temperatury. Ten grzejnik chroni ten budżet energetyczny, zachowując odpowiednie parametry nawet przy pracy 7×24 godziny dziennie.
Można oczekiwać braku przerw w produkcji, a czas trwania procesu przekracza 10 000 godzin. W rezultacie zmniejsza się liczba przeróbek, zapewnia się stabilną kontrolę wymiarów kluczowych, a czas realizacji procesu jest przewidywalny. Zużycie energii jest niskie dzięki małej masie cieplnej i efektywnemu połączeniu źródeł ciepła, więc koszty operacyjne maleją bez straty dokładności temperatury.
Instalacja polega na dopasowaniu interfejsów urządzenia oraz zapewnieniu prawidłowego odprowadzania powietrza, aby utrzymać właściwe różnice ciśnień w strefach czystych.
Osiąga się maksymalną efektywność, gdy grzejnik znajduje się w odległości ≤1 mm od celowanego punktu montażu, a droga chłodzenia jest wolna od zanieczyszczeń. Proces integracji zajmuje jeden dzień, a następnie następuje krótka procedura sprawdzająca, aby ustalić optymalne ustawienia urządzenia.