리소그래피 공정에서는 ‘소프트 베이크’와 ‘하드 베이크’라는 두 가지 방식을 통해 치수 제어 및 포토레지스트의 형태를 결정합니다. 가열 영역의 온도가 5°C만 변동해도 에칭 공정의 성능에 악영향을 미칩니다. 이러한 변동성을 없애기 위해 우리는 반도체용 적외선 가열램프를 개발했습니다.
기술적으로 중요한 점들 이 램프는 단파 적외선을 사용하기 때문에 반응 속도가 매우 빠릅니다. 초단위 내에 정확한 에너지를 웨이퍼에 전달할 수 있습니다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 온도의 일관성은 ±0.1°C 이내로 유지되며, 이 덕분에 매번 동일한 조건에서 베이킹 작업을 수행할 수 있습니다. 또한, 이 램프는 오염물질이 전혀 없으며, 클래스 1–100급 청정실에서도 문제없이 사용할 수 있습니다. 가동 시간 측면에서도 출력이 항상 안정적이며, 5,000시간 이상 작동해도 출력 변동률은 5% 미만입니다.
실제 공정에 적합한 이유 이 램프는 리소그래피 공정에 직접 사용될 수도 있고, 별도의 베이킹 장비로도 활용될 수 있습니다. 이 램프는 온도 상승을 방지하는 기존 장비를 대체할 수 있습니다. 그 결과, 포토레지스트의 형태가 일관되게 유지되어 에칭 공정의 선택성이 향상되고 결함도 줄어듭니다. 빠른 열 반응 덕분에 공정 시간도 단축되어, 웨이퍼당 처리 비용이 낮아지고 생산성도 향상됩니다.
준비해야 할 사항들 설치 시에는 안정적인 전력 공급과 적절한 열 관리가 필요합니다. 램프 자체는 견고하지만, 석영 커버는 유지보수 시 주의가 필요합니다. 청정실의 가동 중단 시기에 맞춰 교체를 계획하면 예기치 않은 중단을 피할 수 있습니다. 이렇게 하면 공정이 계속해서 안정적으로 유지됩니다.