FO-WLPプロセスにおいては、RDLの稳定性は焼成時から始まります。フォトレジストのソフトベイクやケースの硬化処理中に1°Cの温度変動があると、線幅が変化したり、気泡が発生したりし、すでにリソグラフィ工程を通過したウェハーでも不良になってしまいます。そこで、私たちはウェーハ単位でのパッケージング用ヒーターを開発し、シフトごとにも安定した温度管理を実現しました。
その技術的な核心は、石英-ハロゲン式のエミッターアレイを使用した短波赤外線を利用することです。これにより、目標温度に迅速に到達し、オーバーシュートを防ぐことができます。300mmワークエリア全体において、典型的なソフトベイク温度（90～120℃）やハードベイク温度（100～150℃）では、ウェーハ全体の温度均一性は±0.1℃以内に保たれます。クリーンルームのクラス1～100に適合しているのは、316Lステンレス製の構造、PVDF製の絶縁体、そして現場での粒子監視によって確認される粒子発生のない点です。コントローラーはリアルタイムで温度制御を行い、ロット間や日々の再現性を±0.2℃以内に保ちます。
FO-WLPプロセスでは、厳格な温度管理が求められます。このヒーターは、24時間365日の運転条件下でも規定値を維持することで、その条件を守ります。その結果、連続生産において計画外の停止時間はなく、MTBFは10,000時間を超えます。つまり、再作業が減り、重要な寸法の制御が安定し、サイクルタイムも予測可能になります。また、低い熱容量と効率的なエミッターの接続により、エネルギー消費も抑えられ、温度精度を損なうことなく運用コストを削減できます。
設置にあたっては、工具のインターフェースが適合していること、そしてクリーンルーム内の圧力差を維持するための排気システムがしっかりしていることが重要です。
ヒーターがターゲットチャックから±1mm以内の位置にあり、冷却経路に異物がない場合には、最高の性能が得られます。導入には1日程度の時間が必要で、その後短時間のテストを行って最適な設定を確定します。